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SGM48520是一款高速单通道低侧驱动器，专为驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计。其应用领域包括使用低侧驱动器的LiDAR、飞行时间、面部识别和电源转换器。SGM48520提供6A的源电流和4A的吸收电流输出能力。分离输出配置允许根据FET单独优化开启和关闭时间。具有最小寄生电感的封装和引脚排列能够缩短上升和下降时间，并限制振铃。此外，2.3ns的传播延迟以及最小化的公差和变化，使其能够在高频下高效运行。
驱动器具备内部欠压锁定和过热保护功能，可防止过载和故障事件。
SGM48520采用绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6AL封装。
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特性
- 5V 电源电压
- 6A 峰值源电流和 4A 峰值吸收电流
- 用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
- 最小输入脉冲宽度：1ns
- 最高 60MHz 操作
- 传播延迟：2.3ns（典型值）
- 上升时间：550ps（典型值）
- 下降时间：480ps（典型值）
- 保护功能：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过热保护 (OTP)
- 采用绿色 WLCSP-0.88×1.28-6B 和 TDFN-2×2-6AL 封装
应用
激光测距系统
5G RF 通信系统
无线充电系统
GaN DC/DC 转换系统
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGM48520XG/TR | 量产 | WLCSP-0.88×1.28-6B | 6 | Yes | Yes | Yes | Yes | MSL1 | -40℃ to +125℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $5.25/unit 25-99 units : $4.5/unit 100-249 units : $3.75/unit 250-499 units : $3/unit 500-999 units : $2.625/unit 1000-9999 units : $1.95/unit | 3K-9K : 14 days 10K-99K : 28 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 112 days | |
SGM48520XTDI6G/TR | 量产 | TDFN-2×2-6AL | 6 | Yes | Yes | Yes | Yes | MSL1 | -40℃ to +125℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $6.125/unit 25-99 units : $5.25/unit 100-249 units : $4.375/unit 250-499 units : $3.5/unit 500-999 units : $3.0625/unit 1000-9999 units : $2.275/unit | 3K-9K : 14 days 10K-99K : 28 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 112 days |
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** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。
