SGM48521

量产

5V、7A/6A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器，脉冲宽度为 1ns

高速单通道低侧驱动器 SGM48521 专为驱动 GaN 场效应晶体管（FET）和逻辑电平 MOSFET 而设计。其应用领域包括激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）、面部识别以及使用低侧驱动器的电源转换器。SGM48521 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流的输出能力。分离输出配置可根据 FET 单独优化开启和关闭时间。其封装和引脚排列具有最小的寄生电感，能够缩短上升和下降时间并抑制振铃。此外，2.2ns 的传播延迟以及最小的公差和变化，使其能够在高频下高效运行。

该驱动器具备内部欠压锁定和过热保护功能，可防止过载和故障事件。

SGM48521 采用绿色 WLCSP-0.88×1.28-6B 和 TDFN-2×2-6AL 封装。

特性

5V 电源电压
7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流
适用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
最小输入脉冲宽度：1ns
最高工作频率：60MHz
传播延迟：2.2ns（典型值），3.6ns（最大值）
上升时间：
- WLCSP-0.88×1.28-6B：640ps（典型值）
- TDFN-2×2-6AL：620ps（典型值）
下降时间：
- WLCSP-0.88×1.28-6B：560ps（典型值）
- TDFN-2×2-6AL：610ps（典型值）
保护特性：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过温保护 (OTP)
绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6AL封装

应用

激光测距系统

5G射频通信系统

无线充电系统

GaN DC/DC 转换系统

订购信息

Part Number	Status	Package	Pins	Pd-Free	RoHS	REACH	Green	MSL Rating	Operating Temperature Range	Material Content	Reliability Report	Unit Resale Price* (Volume Range: in USD)	Lead Time** (Volume Range: Days)
SGM48521XG/TR	量产	WLCSP-0.88×1.28-6B	6	Yes	Yes	Yes	Yes	MSL1	-40℃ to +125℃	查看	查看	1-24 units : $3.15/unit 25-99 units : $2.7/unit 100-249 units : $2.25/unit 250-499 units : $1.8/unit 500-999 units : $1.575/unit 1000-9999 units : $1.17/unit	3K-9K : 14 days 10K-99K : 28 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 112 days
SGM48521XTDI6G/TR	量产	TDFN-2×2-6AL	6	Yes	Yes	Yes	Yes	MSL1	-40℃ to +125℃	查看	查看	1-24 units : $3.15/unit 25-99 units : $2.7/unit 100-249 units : $2.25/unit 250-499 units : $1.8/unit 500-999 units : $1.575/unit 1000-9999 units : $1.17/unit	3K-9K : 14 days 10K-99K : 28 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 112 days

* 价格仅供参考。请联系我们的经销商获取正式报价。

** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。