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SGM48521Q是一款高速单通道低侧驱动器，专为驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET而设计。它在LiDAR、飞行时间、面部识别和电源转换器等需要低侧驱动器的应用领域中发挥着重要作用。SGM48521Q能够提供7A的源电流和6A的吸收电流输出能力。其分离的输出配置允许用户根据FET的特性单独优化开启和关闭时间。此外，该驱动器采用具有最小寄生电感的封装和引脚布局，这有助于缩短上升和下降时间，并限制振铃现象。2.2ns的传播延迟以及最小化的公差和变化使得SGM48521Q能够在高频下高效运行。
该驱动器还具备内部欠压锁定和过热保护功能，用以防止过载和故障事件的发生。
SGM48521Q符合AEC-Q100标准 (Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 Grade 1)，适用于汽车应用领域。
该器件提供绿色WLCSP-0.88×1.28-6B和TDFN-2×2-6DL两种封装选项。
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特性
符合 AEC-Q100 汽车应用标准
器件温度等级 1
TA = -40℃ 至 +125℃
- 5V 电源电压
- 7A 峰值源电流和 6A 峰值吸收电流
- 用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
- 最小输入脉冲宽度：1ns
- 最高 60MHz 操作
- 传播延迟：2.2ns（典型值），3.5ns（最大值）
- 上升时间：
- WLCSP-0.88×1.28-6B：660ps（典型值）
- TDFN-2×2-6DL：600ps（典型值）
- 下降时间：
- WLCSP-0.88×1.28-6B：560ps（典型值）
- TDFN-2×2-6DL：590ps（典型值）
- 保护特性：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过热保护 (OTP)
- 采用绿色 WLCSP-0.88×1.28-6B 和 TDFN-2×2-6DL 封装
应用
汽车应用
激光测距系统
5G RF 通信系统
无线充电系统
GaN DC/DC 转换系统
订购信息
Part Number | Status | Package | Pins | Pd-Free | RoHS | REACH | Green | MSL Rating | Operating Temperature Range | Material Content | Reliability Report | Unit Resale Price* (Volume Range: in USD) | Lead Time** (Volume Range: Days) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SGM48521QG/TR | 量产 | WLCSP-0.88×1.28-6B | 6 | Yes | Yes | Yes | Yes | MSL1 | -40℃ to +125℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $4.2/unit 25-99 units : $3.6/unit 100-249 units : $3/unit 250-499 units : $2.4/unit 500-999 units : $2.1/unit 1000-9999 units : $1.56/unit | 3K-9K : 14 days 10K-99K : 35 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 98 days | |
SGM48521QTGC6G/TR | 量产 | TDFN-2×2-6DL | 6 | Yes | Yes | Yes | Yes | MSL1 | -40℃ to +125℃ | 查看 | 查看 | 1-24 units : $3.85/unit 25-99 units : $3.3/unit 100-249 units : $2.75/unit 250-499 units : $2.2/unit 500-999 units : $1.925/unit 1000-9999 units : $1.43/unit | 3K-9K : 14 days 10K-99K : 35 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 98 days |
* 价格仅供参考。请联系我们的经销商获取正式报价。
** 交货时间仅供参考，可能会根据不同情况而发生变化。
